W październiku br. Samsung ogłosił, że rozpocznie produkcję w technologii FinFET 10 nm na masową skalę. W porównaniu z poprzednią technologią FinFET 14 nm, 10-nanometrowa litografia umożliwia zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności o 27%, czy też obniżeniu zapotrzebowania na energię o 40%.
Dzięki zastosowaniu technologii FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się powierzchnia chipa, dając producentom możliwość zastosowania większych baterii w nowych produktach lub budowanie smuklejszych urządzeń. Udoskonalenia w procesie produkcji w połączeniu z unowocześnioną konstrukcją chipa mają również znacząco przedłużyć czas działania baterii.
Snapdragon 835 jest już w produkcji, a do urządzeń mobilnych ma trafi© w pierwszej połowie 2017 r. Jest on następcą procesora Snapdragon 820/21, opracowywanego w ponad 200 wersjach.
