8-gigabitowa kość LPDDR4 firmy Samsung jest wykonana w procesie technologicznym 20-30 nanometrów i mieści 1 gigabajt (GB) danych. Pojedynczy 4-gigabajtowy moduł LPDDR4 zawiera cztery kości 8 Gb.
Dodatkowo, 8-gigabitowa kość LPDDR4 wykorzystuje interfejs wejścia-wyjścia typu LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), dzięki czemu umożliwia transfer danych z prędkością 3200 megabitów na sekundę (Mbps) na pin, czyli dwukrotnie szybszy niż oferowany przez produkowane aktualnie masowo w procesie 20-30 nm pamięci LPDDR3.
Kość LPDDR4 ma zapewniać o 50 proc. wyższą wydajność niż najszybsze dostępne obecnie pamięci LPDDR3 i DDR3. Ponadto nowa pamięć pracuje pod napięciem 1,1 wolta i pobiera 40 proc. mniej energii.
Planowane zastosowanie dla nowej pamięci to przede wszystkim smartfony, tablety i notebooki z wyświetlaczami Ultra HD, a także wysokowydajne systemy sieciowe.
