Nowa pamięć LPDDR4 8 Gb 20 nm oferuje dwukrotnie lepsze parametry i większą gęstość w porównaniu z pamięcią LPDDR3 4 Gb w tej samej klasie wykonania 20 nm*. Nowe 8‑gigabitowe moduły pamięci LPDDR4 umożliwiają zbudowanie 4‑gigabajtowych (GB) pakietów LPDDR4
Pakiet LPDDR4 4 GB firmy Samsung został nagrodzony za innowacyjność na targach CES 2015 w kategorii technologii wbudowanych. Samsung jest więc jedyną firmą, która przez trzy lata z rzędu zdobywała nagrody CES za innowacyjność. W ten sposób uhonorowano ją już w 2013 i 2014 roku za rozwiązania DRAM do urządzeń mobilnych, czyli pamięci LPDDR3 2 GB i LPDDR3 3 GB.
Dzięki przesyłaniu danych na wejściu i wyjściu z prędkością do 3200 megabitów na sekundę (Mb/s) — a więc dwukrotnie wyższą niż w typowych układach DRAM DDR3 stosowanych w komputerach osobistych — nowe 8‑gigabitowe układy LPDDR4 mogą obsługiwać nagrywanie i odtwarzanie wideo w rozdzielczości UHD oraz rejestrację obrazów w trybie ciągłym z rozdzielczością powyżej 20 megapikseli.
Napięcie eksploatacyjne modułu LPDDR4 obniżono do 1,1 V, więc nowe pamięci Samsung są najbardziej energooszczędnym rozwiązaniem do smartfonów i tabletów z dużymi ekranami oraz wysokowydajnych systemów sieciowych dostępnym na rynku. Na przykład pakiet 2 GB oparty na układach LPDDR4 8 Gb zużywa o 40 procent mniej energii niż pakiet o tej samej pojemności zbudowany z układów LPDDR3 4 Gb dzięki niższemu napięciu zasilania i szybszemu przetwarzaniu danych.
Stosując nowy autorski interfejs wejścia/wyjścia LVSL (low-voltage swing-terminated logic) Samsung dodatkowo obniżył zapotrzebowanie układów LPDDR4 na moc, zwiększając częstotliwość pracy przy niskim napięciu pod kątem optymalizacji zużycia energii.
Samsung rozpoczął dostawy pakietów DRAM LPDDR4 2 GB i 3 GB opartych odpowiednio na 8- i 6‑gigabitowych kościach LPDDR4 w bieżącym miesiącu. Ich odbiorcami są globalni producenci procesorów aplikacyjnych i urządzeń mobilnych. Pierwsze dostawy pakietów LPDDR4 4 GB zaplanowano na początek 2015 r.
*Klasa wykonania 20 nm oznacza proces produkcyjny mieszczący się w przedziale od 20 do 30 nanometrów.
dostarczył
infoWire.pl
