Qualcomm prezentuje Snapdragona 835 na CES 2017

Wprowadzenie na rynek Snapdragona 835 Qualcomm zapowiedział w listopadzie ub.r., ujawniając jednocześnie, że układ będzie wytwarzany w opracowanej przez Samsunga nowej technologii FinFET 10 nm.

Dzięki zastosowaniu tego rozwiązania powierzchnia chipa jest mniejsza dając producentom możliwość zastosowania większych baterii w nowych produktach lub budowanie smuklejszych urządzeń. Udoskonalenia w procesie produkcji w połączeniu z unowocześnioną konstrukcją chipa przedłużają również znacząco czas działania baterii.

W Snapdragonie 835 pracuje w sumie 8 rdzeni. 4 z nich to CPU Kryo taktowane z częstotliwością 2,45 GHz, pozostałe 4 są taktowane zegarem 1,9 GHz. Według producenta dzięki kilku nowym rozwiązaniom wydajność jednostki udało się zwiększyć o 35 proc. w porównaniu z poprzednimi układami.

Snapdragon 835 posiada wbudowany układ graficzny Adreno 540 który ma o 25 proc. szybciej renderować grafikę niż Adreno 530. Producent zaznacza, że jednostka jest w stanie poradzić sobie sprawnie także z obsługą technologii VR. Snapdragon 835 ma się też charakteryzować mniejszym zapotrzebowaniem na energię - o połowę niższym niż w wypadku Snapdragona 801.

Producenci smartfonów zapowiadają, że nowa jednostka Qualcomma trafi wkrótce do ich nowych modeli, będą wśród nich m.in. Galaxy S8 oraz Xiaomi Mi 6.