256-gigabitowa pamięć flash 3D V-NAND od Samsunga ma dwukrotnie większą gęstość w porównaniu z tradycyjnymi 128-gigabitowymi kościami pamięci flash. Oprócz możliwości zapisania 32 gigabajtów (256 gigabitów) danych w pojedynczej kości, nowy moduł pozwala także na podwojenie pojemności oferowanych obecnie dysków SSD Samsung.
W nowym układzie V-NAND każda komórka wykorzystuje tę samą strukturę trójwymiarowej pułapki ładunku (CTF), w której komórki tworzą pionową 48-warstwową masę połączoną elektrycznie przez około 1,8 mld kanałów wykonanych specjalną techniką wytrawiania. Łącznie układ zawiera ponad 85,3 mld komórek. Każda z nich może przechowywać 3 bity danych, do daje w sumie 256 mld bitów, czyli 256 gigabitów danych.
Jak podaje Samsung, 256-gigabitowa 48-warstwowa pamięć flash V-NAND z 3-bitowymi MLC zużywa o 30 proc. mniej energii z porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią z 3-bitowymi MLC, przy tej samej ilości zapisanych danych. Sam proces produkcji nowej pamięci jest wydajniejszy o ok. 40 proc. w porównaniu z technologią produkcji wersji 32-warstwowej.
Koreańska firma zamierza produkować pamięci V-NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku, aby przyspieszyć popularyzację dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 terabajta wzwyż. Wprowadzając dyski SSD o pojemności 2 terabajtów i większej dla użytkowników prywatnych, Samsung planuje także zwiększenie sprzedaży wielkopojemnych dysków SSD z najnowocześniejszymi interfejsami PCIe NVMe i SAS dla przedsiębiorstw i centrów danych.
