Prototyp mobilnej pamięci DRAM

Rozwiązanie ma być wykorzystywane przy przetwarzaniu zaawansowanej grafiki 3D i wideo w przenośnych urządzeniach multimedialnych.

W oficjalnym komunikacie podano, że układ będzie produkowany w technologii 90 nm. Chip jest zasilany napięciem 1,8V i będzie dostępny w formacie DDR i SDRAM. Samsung zapowiedział także stworzenie nowych, 512Mb pamięci dla rodziny układów MCP (Multi Chip Package) i SIP (System In Package). Producent zapowiedział, że nowych pamięci można się spodziewać na rynku najwcześniej w drugiej połowie 2005r.

Źródło informacji: DigiTimes