Samsung przedstawia pierwszą 256 gigabitową pamięć flash 3D V NAND

Firma Samsung uruchomiła masową produkcję pierwszej w branży 256‑gigabitowej (Gb) pamięci flash w trójwymiarowej pionowej architekturze NAND (3D V-NAND), zbudowanej z 48 warstw 3‑bitowych wielopoziomowych komórek (MLC) i przeznaczonej do stosowania w dyskach półprzewodnikowych (SSD).

Redakcja Wirtualne Media
Redakcja Wirtualne Media
Udostępnij artykuł:

Trzecia generacja pamięci flash V‑NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wyjątkowo wysokiej wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując w pełni możliwości technologii V‑NAND firmy Samsung, rozszerzamy naszą ofertę podzespołów wysokiej klasy przeznaczonych dla przedsiębiorstw i centrów danych, a także dla użytkowników prywatnych – powiedział Young-Hyun Jun, President of the Memory Business w Samsung Electronics.

Nowa 256-gigabitowa pamięć flash 3D V‑NAND firmy Samsung ma dwukrotnie większą gęstość w porównaniu z tradycyjnymi 128‑gigabitowymi kościami pamięci flash. Oprócz możliwości zapisania 32 gigabajtów (256 gigabitów) danych w pojedynczej kości nowy moduł pozwala także na podwojenie pojemności oferowanych obecnie dysków SSD Samsung.

W nowym układzie V‑NAND każda komórka wykorzystuje tę samą strukturę trójwymiarowej pułapki ładunku (CTF), w której komórki tworzą pionową 48-warstwową masę połączoną elektrycznie przez około 1,8 mld kanałów wykonanych specjalną techniką wytrawiania. Łącznie układ zawiera ponad 85,3 mld komórek. Każda z nich może przechowywać 3 bity danych, do daje w sumie 256 mld bitów, czyli 256 gigabitów danych – w układzie o wielkości porównywalnej z opuszkiem palca.

256-gigabitowa 48-warstwowa pamięć flash V‑NAND z 3‑bitowymi MLC zużywa o 30 procent mniej energii z porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią z 3‑bitowymi MLC przy tej samej ilości zapisanych danych. Sam proces produkcji nowej pamięci jest wydajniejszy o około 40 procent w porównaniu z technologią produkcji wersji 32‑warstwowej, co pozwoli zwiększyć konkurencyjność kosztową na rynku SSD przy wykorzystaniu w większości tego samego sprzętu.

Samsung zamierza produkować pamięci V‑NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku, aby przyspieszyć popularyzację dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 terabajta wzwyż. Wprowadzając dyski SSD o pojemności 2 terabajtów i większej dla użytkowników prywatnych, Samsung planuje także zwiększenie sprzedaży wielkopojemnych dysków SSD z najnowocześniejszymi interfejsami PCIe NVMe i SAS dla przedsiębiorstw i centrów danych .

grafika

dostarczył

infoWire.pl

PRACA.WIRTUALNEMEDIA.PL

NAJNOWSZE WIADOMOŚCI

KRRiT przedłuża koncesje. Chodzi m.in. o stacje Polsatu i Canal+

KRRiT przedłuża koncesje. Chodzi m.in. o stacje Polsatu i Canal+

Polsat Box udostępnił za darmo wiele kanałów

Polsat Box udostępnił za darmo wiele kanałów

Współpracownica Agory bez pieniędzy po porodzie? Firma odpowiada "Solidarności"

Współpracownica Agory bez pieniędzy po porodzie? Firma odpowiada "Solidarności"

KRRiT zaakceptowała plany mediów publicznych. Co z likwidacją kanałów TVP?

KRRiT zaakceptowała plany mediów publicznych. Co z likwidacją kanałów TVP?

Dwa nowe tytuły w ofercie InPostu. Zamówisz je do Paczkomatu

Dwa nowe tytuły w ofercie InPostu. Zamówisz je do Paczkomatu

Nowa prezeska wydawcy "Pisma"

Nowa prezeska wydawcy "Pisma"