Choć w przypadku smartfonów najwyższej klasy przejście na pamięci o pojemności 128 GB w standardzie Universal Flash Storage (UFS) 2.0 lub eMMC 5.1 już trwa, teraz także w smartfonach klasy średniej można będzie zwiększyć pamięć do tej pojemności. Nowa 3-bitowa pamięć 128 GB eMMC 5.0 firmy Samsung przyspiesza ten proces jako rozwiązanie eMMC 5.0 o największej gęstości w swoim sektorze.
Nowa pamięć 128 GB eMMC 5.0 zapewnia sekwencyjny odczyt danych o prędkości 260 megabajtów na sekundę (MB/s) – a zatem taki sam poziom wydajności jak w przypadku pamięci MLC NAND eMMC 5.1. W przypadku operacji losowego odczytu i zapisu danych, pamięć ta może obsłużyć odpowiednio do 6000 IOPS (operacji wejścia/wyjścia na sekundę) i 5000 IOPS, co jest wartością wystarczającą do obsługi przetwarzania wideo o wysokiej rozdzielczości i dla zaawansowanej wielozadaniowości. Uzyskane prędkości IOPS są w przybliżeniu odpowiednio cztery i dziesięć razy wyższe niż prędkość typowej zewnętrznej karty pamięci.
Za sprawą nowej linii 3-bitowych pamięci eMMC 5.0 Samsung rozszerza swoją ofertę 3-bitowych pamięci NAND z dysków SSD, centrów danych, serwerów i komputerów PC na cały rynek mobilnych pamięci masowych. Firma Samsung będzie nadal poszerzała stosowanie 3-bitowej pamięci NAND Flash poprzez rozwijanie rozwiązań o wyższej wydajności i gęstości, a także wzmocnienie konkurencyjności oferowanych przez firmę pamięci.
dostarczył
infoWire.pl
